本发明公开了一种补偿掺杂阻挡杂质带太赫兹探测器
芯片及其制备方法，包括在高导Si衬底上，采用化学气相沉积工艺外延生长硅掺磷吸收层，掺杂磷离子；在吸收层上通过补偿掺杂工艺外延生长高电阻率阻挡层，补偿掺杂硼离子；再通过光刻、离子注入、快速热退火、钝化、湿法腐蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极。本发明的优点在于：采用补偿掺杂工艺，在外延生长阻挡层时，引入补偿离子硼，提高了阻挡层电阻率，同时又易于控制阻挡层厚度，从而能有效降低暗电流，抑制噪声，提高灵敏度；硼离子的引入可通过气源开关得到很好的控制，该方法可很好地与传统外延工艺兼容，具有简单可行、操作方便等优点。
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来源：北方有色网
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