本发明涉及一种太赫兹探测器件制备技术领域的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，包括如下步骤：将背封高导硅衬底放入化学气相沉积的反应炉腔中；在高导硅衬底正面生长重掺杂吸收层；将重掺杂吸收层生长完毕的硅片从炉腔中取出，去除底板边缘区域沉积的掺杂
多晶硅及炉腔残留的杂质；将硅片重新放回炉腔，去除硅片表面的氧化层后清洁炉腔；在重掺杂吸收层上继续生长本征阻挡层；将本征阻挡层生长完毕的硅片从炉腔中取出，对硅片进行微纳加工及器件封装。本发明中吸收层与阻挡层分炉进行外延生长，有利于提高阻挡层的表面电阻率及减小吸收层和阻挡层的过渡区宽度，从而有效降低器件暗电流及延伸探测波长。
声明：
“分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1100
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
