本发明涉及了一种硫化锑基可见光光电探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域，首先采用溶胶‑凝胶法在FTO上制备一层致密的二氧化钛薄膜；二氧化钛薄膜经过退火后使用热蒸镀沉积硫化锑（Sb
2S
3）薄膜；然后使用硫代乙酰胺对硫化锑薄膜进行表面硫化同时进行退火处理；最后将化学气相沉积（CVD）法生长的
石墨烯薄膜（Gr）转移到硫化锑薄膜上，形成TiO
2/Sb
2S
3/Gr薄膜结构的可见光探测器，为制作高性能的可见光探测器提供了新的方法。该光电探测器可以在可见光有很高的响应且对不同波长的可见光具有不同的响应电流，同时随入射光强的增加响应电流线性增加。
声明：
“硫化锑基光电探测器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
954
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
