本发明属于光探测技术领域，具体涉及一种自驱动光电探测器，该自驱动光电探测器，由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd前电极、硒氧铋薄膜层和硅单晶基底。硒氧铋薄膜层通过旋涂法、空气退火处理、化学气相沉积、湿法转移等方法制备。测试结果表明，构建异质结极大地提高了硒氧铋基器件的光响应性能，且该器件表现出良好的自驱动光探测性能。
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“基于Bi2O2Se薄膜/Si异质结的自驱动光电探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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