本发明的主题是一种用于在沉积工艺期间测定化学气相沉积反应器中的至少一个硅棒的表面温度的方法，其中测量装置A测定设置在硅棒上的测量区域中的表面温度，并且测量装置B连续地或不连续地确定所述硅棒的至少一个直径和/或布置在反应器中的至少一个其它硅棒的至少一个直径，测量区域的大小和/或位置根据所确定的一个或多个直径进行适配。本发明的另一主题是一种用于测定表面温度的设备以及包括该设备的反应器。
声明：
“测定表面温度的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
779
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
