本发明公开了与硅光波导集成的
石墨烯异质结光探测器的制备方法，步骤为：1）对SOI衬底的顶层硅进行电子束光刻和刻蚀，在其上表面形成硅光波导；2）采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）方法在SOI衬底和硅光波导上覆盖一层二氧化硅层；3）采用PECVD方法，在二氧化硅层之上生长一层或数层石墨烯层，同时可以通过化学掺杂的方法，改变所述石墨烯层的光电特性；4）采用PECVD方法或机械剥离的方法，在石墨烯层上制备一层二硫化钼层；5）采用电子束蒸发或磁控溅射的方法分别在石墨烯层和二硫化钼层上淀积一层电极层。本发明中的器件结构可以实现与硅集成的快速、宽带光信号探测，具有低成本、高集成度的特点，有望应用于集成化的宽带光传输系统。
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“与硅光波导集成的石墨烯异质结光探测器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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