本发明是一种基于氮化镓核探测器结构的双面氮化镓薄膜外延生长方法，其特征包括如下步骤：选择一半绝缘氮化镓衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积反应腔内（镓面朝上），升温烘烤衬底，同时通入氨气对衬底进行保护，防止衬底氮化镓在升温过程中发生分解；降温至生长温度，同时通入三甲基镓、氨气和
硅烷，进行n型镓面氮化镓薄膜外延生长。待生长结束后，取出氮化镓衬底，将衬底翻转后，再次放入金属有机物化学气相沉积反应腔内（氮面朝上），重复上述过程进行n型氮面氮化镓薄膜外延生长。本发明的优点：方法简单易行，生长周期短，材料性能好，是实现氮化镓核探测器结构高质量、低成本生长的有效解决方案。
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来源：北方有色网
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