本发明公布了一种单晶硅太阳电池金字塔绒面上PN结杂质浓度分布的测量方法。本发明的测量方法采用了
电化学方法结合称重法对单晶硅太阳电池绒面上PN结的杂质浓度分布进行测量和计算。室温下通过电化学方法生长氧化层、HF酸腐蚀的重复过程,结合每次薄层电阻变化,以及差重计算每次氧化腐蚀深度,经过系列计算将每次薄层电阻换算成杂质浓度,从而获得扩散层纵向杂质分布的真实情况,得到杂质浓度分布曲线。本发明的测量是评价扩散层质量和选择控制扩散条件必不可少的依据,对于优化和控制扩散工艺,提高太阳电池效率具有重大意义。
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来源：北方有色网
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