本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法,包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前,其优点在于:避免了在高温快速退火过程中,由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏,提高了探测器制备的成品率,特别适用于长线列和面阵探测器研制,同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响;另一方面,在离子刻蚀后引入热处理的工艺,有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷,并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键,降低表面态密度,有效减小表面复合暗电流。
声明：
“台面型铟镓砷探测器制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1147
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
