本发明公开了一种单层MoS
2同质结、光探测器及其制备方法、电子元件，该单层MoS
2同质结包含：n型MoS
2和相邻的p型掺杂MoS
2，二者构成p‑n同质结；其中，该p型掺杂MoS
2是由单层MoS
2薄膜经过选区p型离子掺杂得到的。在不引入
新材料的前提下，利用简单的化学掺杂方式构造同质p‑n结，可以有效提高光生电子空穴分离效率和传输速度，提升由其制备的光探测器的响应度，具有工艺简单，低功耗等优点，还可以应用于柔性整流二极管、开关二极管、
太阳能电池等电子元件中，在柔性传感、医疗检测、可穿戴器件方面具有良好的应用前景。
声明：
“单层MoS2同质结、光探测器及其制备方法、电子元件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
922
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
