本发明提供了一种基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法，步骤包括：对
碳化硅单晶片掺杂得到
铝氮共掺杂碳化硅；通过阳极
电化学刻蚀法在铝氮共掺杂碳化硅表面形成一维碳化硅；取一维碳化硅溶解形成分散液滴于二氧化硅片上，分散剂挥发后在二氧化硅片表面形成分散平铺的一维碳化硅；在二氧化硅片上的一维碳化硅两端蒸镀高温合金电极；二氧化硅片退火氧化在一维碳化硅表面封装二氧化硅层。本发明提供的基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法，制作简单、紫外光检测率高、能够适应高温环境且高温环境服役时间较长。
声明：
“基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
996
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
