本发明涉及
碳化硅晶体制备技术领域，公开了一种，钽制结构、钽制结构的制备方法、测温孔结构、坩埚组件、测温孔防堵方法、碳化硅晶体制备方法。其中，坩埚组件包括：坩埚，包括坩埚体和坩埚盖；坩埚体由第一石墨制成，坩埚体包括相互之间可拆卸连接的坩埚上截和坩埚下截；坩埚盖由第二石墨制成，与坩埚体可拆卸连接并与坩埚体形成容置腔体；测温孔结构，测温孔结构设置在所述坩埚的上下两端。通过上述技术方案，利用碳化钽熔点高于碳化硅的升华温度这一特性，且碳化钽在高温下对硅与氢具有的化学惰性，有效避免了富硅气体对钽制结构内壁的腐蚀，阻碍碳化硅生成在测温孔中，这就不能提供大量的形核点供碳化硅后续的长大，避免了测温孔的堵塞。
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“钽制结构、测温孔结构、坩埚组件、测温孔防堵方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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