本发明公开一种能够有效测试浅沟槽隔离填充能力的测试结构，在硅基底上刻蚀有若干用于形成浅沟槽测试结构的第一沟槽，两相邻第一沟槽之间的硅基底形成第一硅基底线，所述若干第一沟槽分布在所述测试结构的中间，所述测试结构的外围还设置有若干用于消除化学机械平坦制程中负载效应的虚拟结构，其特征在于，所述测试结构中最外围第一沟槽的外侧形成有第二硅基底线，所述第二硅基底线的宽度比所述第一硅基底线的宽度宽。本发明的有益处是，通过适当加宽STI填充能力测试结构中最外围两侧的硅基底线的宽度，消除了由于STI蚀刻所带来的负载效应，从而能够更加有效的给工程人员提供信息来判断或者调试STI填充制程。
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来源：北方有色网
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