一种Sn掺杂β‑Ga
2O
3膜及其日盲紫外探测器的制备方法，所述制备方法是将Ga
2O
3粉末、SnO
2粉末与碳粉末按比例混合研磨，得到固体混合粉末；以混合粉末为反应源，放在高温管式炉中，利用化学气相沉积方法，以氧气为氧源，惰性气体为载气，在衬底上获得Sn掺杂β‑Ga
2O
3膜；并在所述Sn掺杂β‑Ga
2O
3膜上采用叉指电极制备工艺制备平面金属叉指电极结构，获得探测器，本发明具有探测范围可调、暗电流可调、响应度可调、响应速度可调以及良好的稳定性、可重复性和可靠性，在紫外强度标定、高压漏电检测、水净化、杀菌消毒、紫外生物传感、紫外通讯、臭氧空洞监测、高温火焰监控和导弹预警等领域里具有非常广阔的应用前景。
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“Sn掺杂β-Ga2O3膜及其日盲紫外探测器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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