本发明属于
半导体材料技术领域,涉及利用光谱探测技术确定等离子体组分指导等离子辅助制备掺杂半导体材料的方法。利用光谱仪测量气体源的射频等离子体光发射谱,分析等离子体的化学组分。通过调节气体源流量改变生长室压力,调节射频功率等促进对实验有利的组分增加,减少其他组分的不利影响,选择最佳实验条件制备N掺杂的p型ZnO。本发明通过光谱仪测量等离子体的光发射谱,可实时了解并控制调节等离子体的化学组分,对提高等离子体辅助生长半导体材料尤其掺杂生长的质量及可控性具有重要作用。同时可提高材料的可重复性,向ZnO基发光器件的实现迈进了重要一步。
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“指导等离子体辅助制备半导体材料的光谱探测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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