本发明的目的在于提供一种高灵敏度的OTFT?pH传感器的制作方法及用这种OTFT器件所做的pH验证。它首先是采用常用的半导体器件的制作工艺，制备出栅极带有开槽的TFT器件，并对这种器件按现有的封装工艺进行封装。通过在栅极开槽的区域采用
电化学沉积电子聚合物膜，制成OTFT?pH传感器。对制备的器件采用半导体特性测试仪对其在溶液中的pH敏感特性进行测试，发现在溶液的pH为2到7的范围内，OTFT器件的阈值电压与pH之间有着良好的线性关系，其直线的斜率为0.955V/pH。比普通的ISFET器件对H+的灵敏度高出15倍。
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“高灵敏度的OTFT pH传感器的制作及pH检测” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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