本发明涉及一种近红外量子点单光子源的制备方法及检测方法，目的是为了解决单量子点产生单光子的过程中会发生俄歇电离或者载流子俘获，从而造成单量子点荧光辐射出现荧光中断甚至荧光淬灭等现象的技术问题。本发明所采用的技术方案是：一种近红外量子点单光子源的制备方法，包括以下步骤：将盖玻片表面进行清洁；对盖玻片表面进行氨基功能化处理；将近红外单量子点通过化学键固定在盖玻片上；将单量子点浸没在保护剂中；加盖另外的一个盖玻片防止保护剂的蒸发和隔离外界环境的影响；本发明通过保护剂薄膜有效地消除近红外单量子点的电离态来有效地抑制近红外单量子点的荧光辐射中断和光漂白，从而使量子点产生稳定的单光子辐射。
声明：
“近红外量子点单光子源的制备方法及检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1128
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
