本发明公开了一种检测晶圆表面氮化硅残留的方法，属于半导体制造技术领域。方法包括：步骤S1，采用第一类刻蚀方式对氮化硅薄膜层进行刻蚀，以露出氧化硅薄膜层；步骤S2，采用第二类刻蚀方式对氧化硅薄膜层进行刻蚀，以露出晶圆表面；步骤S3，将晶圆的表面呈现给检测人员查看，以分辨晶圆的表面是否粘附有氮化硅的残留物；上述步骤S2中，第二类刻蚀方式中采用的化学药剂所刻蚀掉的氧化硅多于所刻蚀掉的氮化硅。上述技术方案的有益效果是：能够提高氮化硅残留检测的准确率，并且降低检测成本，减少检测耗时。
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来源：北方有色网
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