本发明涉及在半导体基底中填充缝隙的方法。在 反应室中提供基底和含有至少一种重氢化合物的气体混合物。 使该气体混合物反应而通过同时进行的层沉积和蚀刻在基底 上形成材料层。该材料层填充缝隙，使得缝隙内的材料是基本 上没有间隙的。本发明包括提供改善沉积速率均匀性的方法。 材料在至少一种选自D2、HD、 DT、T2和TH的气体的存在条件 下沉积在表面上。在沉积期间净沉积速率横跨表面具有的偏差 程度在其他方面基本上相同的条件下相对于使用 H2沉积发生的偏差程度获得了 可测得的改善。
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来源：北方有色网
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