本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域,包括外延生长室及其加热装置,预处理装片室,磁传动传送片机构,气路系统,热电偶与光测高温计,加热电源,高真空机组抽气系统,尾气处理装置以及计算机自动控制系统;加热装置由固定在该外延生长室外侧的石墨板电阻加热器、安装在石墨板加热器外的红外反射板组成。本发明具有加热温度均匀,可外延大面积厚度均匀半导体片,且低成本、高效率,易于工业实用化批量生产等特点。
声明：
“超高真空化学气相淀积外延系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1015
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
