一种调节抛光垫的平整表面的方法,设备和介质包括:在具有抛光垫(1080)和调节盘(1030)的化学机械抛光(CMP)设备(100)中安放待抛光晶片;在第一套垫调节参数下抛光该晶片,选择该套参数是为将晶片材料去除速率保持在预选的最小和最大去除速率范围内;确定发生在抛光步骤期间的晶片材料去除速率;计算更新的垫调节参数以将晶片材料去除速率保持在最大和最小去除速率范围内;以及用该更新的垫调节参数调节该抛光垫(1080),其中该更新的垫调节参数用垫磨损和调节模型计算,该模型基于诸如该调节盘的调节向下的力和旋转速度等调节参数预测该抛光垫的该晶片材料去除速率。
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来源：北方有色网
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