大面积的非晶态GaAs薄膜已经由简单和廉价磁控溅射技术制备出来了,并且非晶态GaAs薄膜具有半导体特性,但是非晶GaAs薄膜中存在组分偏析所引入大量的结构缺陷,阻碍非晶GaAs材料应用于光电子器件。我们发明的目的在于提供一种化学计量比非晶GaAs薄膜的溅射制备方法,在保证非晶GaAs薄膜的完全无序结构前提下,防止组分偏析,提高非晶GaAs薄膜的光电性能和表面形貌,这为研制短波红外探测器、
太阳能电池以及其他非晶态光电子器件奠定基础。
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来源：北方有色网
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