本发明公开了一种抛光方法和化学机械抛光设备，其中抛光方法包括：晶圆完成磨削后，测量晶圆CMP之前的厚度的前值形貌，根据损伤层厚度确定去除损伤层之后的厚度的上限形貌，其中，所述上限形貌为前值形貌减去损伤层厚度；如果预存的参考厚度落在前值形貌和上限形貌之间，则基于使平整度和抛光效率最优的约束条件重新计算厚度的目标形貌，其中，所述目标形貌限定在上限形貌和下限厚度之间，所述下限厚度为制程要求的晶圆最薄厚度；如果所述参考厚度落在上限形貌和下限厚度之间，则直接将参考厚度作为目标形貌；按照所述目标形貌调整抛光压力执行抛光。
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来源：北方有色网
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