需要一种能够区分衬托器表面和晶片表面之间的温度差异并且通过反映所述温度差异控制温度的方法。为了实现此目的，本发明提供一种化学气相沉积设备的温度控制方法，该化学气相沉积设备包括：腔室；衬托器，位于所述腔室的内侧以在所述腔室中转动，其中晶片层叠在衬托器上侧；设置在所述腔室内并且向所述晶片喷射气体的气体供应单元；设置在所述衬托器内并且加热所述晶片的加热器；以及位于所述腔室中并且测量温度的温度传感器。所述温度控制方法包括步骤：(a)基于所述温度传感器的测量值计算所述衬托器的温度分布，并且，将所述温度分布的相对高温段划分为衬托器段，将所述温度分布的相对低温段划分为晶片段；以及(b)通过将预设参考温度与在所述衬托器段或所述晶片段的选定位置的温度进行比较来控制加热器。
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“化学气相沉积设备的温度控制方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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