本发明涉及一种偏离化学计量比的Mg掺杂ZnO纳米柱及其制备方法，属于
半导体材料技术领域。该Mg掺杂ZnO纳米柱的化学结构组成为Mg
xZnO；其中，0.7≤x≤0.9。其制备方法主要包括以下步骤配制纳米柱前驱溶液和制备Mg掺杂ZnO纳米柱，在配制纳米柱前驱溶液过程中Zn
2+/Mg
2+/pH值缓冲剂三者的摩尔比为1:x:1，其中x是化学计量比的偏离值，其在0.7≤x≤0.9的限值范围内。本发明偏离化学计量比的Mg掺杂ZnO纳米柱制备方法简单，成本低，溶液组分易调控，可重复性强，适用于大面积商业化生产制造，制成的Mg掺杂ZnO纳米柱具有强光散射性能，在
太阳能电池及光探测器件等领域有重要应用前景。
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“偏离化学计量比的Mg掺杂ZnO纳米柱及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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