本发明涉及一种用于研磨半导体晶圆基材的化学机械研磨装置及研磨方法,该装置适用于研磨一晶圆上的一材料层,其包括一底座、数个研磨头、数个研磨垫、一度量器以及一控制器。该研磨头是设置于该底座之上;该研磨垫是设置于该底座之上;该度量器是设置于该底座之上,并且是位于该研磨垫中的两个相邻研磨垫之间,用以量测该材料层的厚度。该控制器是连接于该研磨垫以及该度量器;该研磨方法是在该研磨垫中的至少一个第一个研磨垫上研磨该材料层;以该度量器量测该材料层的厚度;以及在该研磨垫中的至少一个第二个研磨垫上将该材料层研磨成一目标厚度。本发明可以较大幅度的节省研磨的时间,提高生产效率。
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来源：北方有色网
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