本发明提供一种化学机械研磨方法，包括以下步骤：获得形成所述沟槽所使用的光掩膜版的光刻透光率TR以得到所述介质层的图案密度PD；基于所述光掩膜版的光刻透光率TR获得化学机械研磨的第一研磨阶段的粗磨终点预测值K；根据所述终点预测值K，于化学机械研磨机台的菜单中设定第一研磨阶段的粗磨终点值，并进行研磨；粗磨至设定值，终止第一研磨阶段，开始第二研磨阶段。本发明的化学机械研磨方法能够简化寻找试样导电去除层的第一研磨阶段的粗磨终点的步骤，缩短寻找时间，减少了试作风险，改善了介质层的图案密度PD差异引起的良率问题。
声明：
“化学机械研磨方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1069
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
