本发明涉及晶体应力处理技术领域，尤其是一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺，第一步，配置腐蚀溶液：将硫酸、硝酸、盐酸和水按照200:200:3:1000质量比配置，并加热到80‑100摄氏度；第二步，化学腐蚀，将晶体置入所述第一步配置的腐蚀溶液内，时间控制在1‑40小时；第三步，两道清水清洗：用清水洗去晶体表面的腐蚀溶液；第四步，去离子水清洗：将晶体在去离子水内浸泡3‑5分钟，清洗1‑2分钟；第五步，消光比测试仪测试：将所述第四步清洗后的晶体通过消光比测试仪进行测试。本发明通过市场上常见的三酸，通过优化配比形成腐蚀溶液，将晶体材料放置到配置好的腐蚀溶液内腐蚀即可完成对晶体的消除应力操作，本工艺操作简单，化学原料易于取得，适合大晶体制造企业内广泛推广使用。
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“消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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