本发明涉及一种
碳化硅晶片化学机械抛光后表面保护方法，包括如下步骤：1）将多线切割后的晶片进行机械加工处理，2）将氢氟酸溶液稀释到一定浓度后备用，3）将所述步骤1）中加工处理后的晶片放置于稀释后的氢氟酸溶液中，静置一段时间，4）将所述步骤3）中静置完成后的晶片取出用纯水彻底冲洗，5）将冲洗后的晶片进行干燥处理后将其转移至检测台进行检测。本发明的氢氟酸溶液对抛光后的碳化硅晶片进行清洗可以抑制氧化膜的形成，降低了下道工序的工作难度，提高了生产效率。
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“碳化硅晶片化学机械抛光后表面保护方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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