本发明公开一种三维ZnO阵列聚吡咯分子印迹
电化学传感器及其制备方法和应用，利用以金为导电基底，以ZnO为基础材料，在导电基底上直接生长ZnO三维阵列结构，并通过电聚合方法，以对氨基苯磺酰胺为模板分子，制备分子印迹聚吡咯纳米阵列，结合电化学工作站构建基于金基底的ZnO阵列分子印迹传感器。通过ZnO三维纳米阵列结构的构建，增加电极材料的比表面积及活性位点，从而提高检测灵敏度，降低检测限。
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“三维ZnO阵列聚吡咯分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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