本发明是一种硅基三维结构磁场辅助
电化学腐蚀的方法,该方法包括光刻硅片、配置腐蚀液、电化学腐蚀前的准备、电化学腐蚀的实施及后处理步骤,其中:在配置腐蚀液的过程中,是将氢氟酸、二甲基甲酰胺和水混合,组成三者的体积比为(2.5～3.5)∶(14～18)∶1的腐蚀液作为负极腐蚀液,将质量浓度96%的分析纯NH4F、质量浓度40%的HF和水混合,组成三者的体积比为3∶6∶10的氢氟酸缓冲腐蚀液作为正极的腐蚀液;在磁场配置过程中,是将磁场方向垂直100晶向,同时与电场方向垂直,该磁场方向定为x轴。本发明提供的方法具有工艺简单、实用性强和容易实施等优点,可以获得大间距陡直图形的硅基三维结构的产品。
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来源：北方有色网
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