本发明公开了一种基于氧化
石墨烯和硫化镉量子点异质结构的分子印迹光
电化学传感器及其制备方法和在Fumonisin B
1(FB
1)毒素方面的检测。本发明制备的传感器以氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构作为光电转换层，表面修饰含有毒素识别位点的分子印迹膜来实现FB
1毒素的检测，其具有检测范围宽，灵敏度高，选择性好的优点。另外，本发明通过理论计算来确定异质结构材料的能带位置，并将分子印迹技术与光电化学相结合，最后将制备得到的传感器用于Fumonisin B
1毒素的检测，检测限可达4.73pg·mL
‑1，且响应稳定，检测方法具有良好的重现性。
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“基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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