本发明公开了一种防止钨栓塞腐蚀的半导体特性分析方法，属于
半导体技术领域。所述方法包括：在晶圆上截取待分析样品，并调配预设浓度的研磨液；去除待分析样品的钝化层及金属叠层至呈现第一金属层；使用调配的预设浓度的研磨液配合抛光盘预定的转速去除第一金属层至呈现钨栓塞层；对呈现钨栓塞层的样品进行特性分析。本发明中，通过调配预设浓度且安全环保的研磨液，并配合抛光盘一定的转速来去除待分析样品的第一金属层，有效地抑制了钨栓塞的
电化学反应，进而确保了钨栓塞的完好，使得在钨栓塞层能够进行完整的器件标定，避免了因为样品的处理问题而造成特性分析的误判。
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“防止钨栓塞腐蚀的半导体特性分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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