本发明公开了一种为SiGe薄膜定量分析制作的标准样品,该标准样品是一个多层结构的SiGe薄膜淀积在Si衬底上;每一层的厚度范围从100埃到2000埃,每一层SiGe薄膜的Ge和Si的原子百分比(at%)不同,其中Ge的范围从0.1at%到99at%。此外,本发明还公开了该标准样品的制备方法,此方法使用CVD技术将具有多层结构的SiGe薄膜淀积在Si衬底上,利用CVD设备中的气相流量计控制进入反应过程中的GeH4和SiH4的化学成分比,并由此可以对每一层的SiGe薄膜粗略估计其Si,Ge的化学组成比;然后使用SIMS对每一层的SiGe的化学组成比进行精确测定。本发明可大大降低制作成本。
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“为SiGe薄膜定量分析制作的标准样品及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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