本发明公开一种直接探测中子的10BN材料的低气压化学气相沉积生长装置及其生长方法，以源加热炉加热生长源，使其分解为气态产物，以氩气或者氮气作为气态产物的载气，在混气罐中混气结束后通入刚玉管中进行10BN薄膜的生长。该生长方法使用的生长源为富集10B，使得生长的10BN薄膜中有较好的10B丰度；该生长方法的生长源与载气在混气罐中混气结束后通入反应腔室，使得生长源能和载气均匀混合，能有效地提高10BN薄膜的生长速率和质量；该生长方法利用加热线圈加热生长源的传输路径，以减少前驱体在传输过程中的损耗；该生长方法利用双温区的高温管式炉，使得温度场更加稳定。
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来源：北方有色网
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