本发明揭露了一种半导体器件失效分析样品制作以及分析方法，采用化学试剂去除部分
芯片背面的封装覆层，不暴露封装覆层内的引线，保持引线框架和引脚的完整。这样，可以同时检测芯片上多个引脚之间的功能单元和金属互连线，无须以引线为终端来检测。并且能在芯片工作的状态下进行整个芯片的检测和失效分析，大大提高了效率。此外，还能避免机械的开盖方法对芯片背面造成损害。
声明：
“半导体器件失效分析样品制作方法以及分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
820
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
