本发明涉及一种
铜掺杂的Tb基MOF检测CYFRA 21‑1的
电化学发光免疫传感器的制备方法。具体是采用铜掺杂的Tb基MOF作为传感界面，铜掺杂的Tb基MOF具有大的比表面积和稳定的电化学发光信号。AuPdPt纳米花与铜掺杂的Tb基MOF复合，能够提高铜掺杂的Tb基MOF的导电性，并且
贵金属纳米花具有催化活性，能够进一步放大电化学发光信号。本发明对CYFRA 21‑1检测的线性范围为0.1 pg·mL
‑1‑100 ng·mL
‑1，检测限为32 fg·mL
‑1。
声明：
“铜掺杂的Tb基MOF检测CYFRA 21-1的电化学发光免疫传感器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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