本申请提供的一种化学机械研磨机台缺陷检测方法，通过利用待检测的化学机械研磨机台研磨将具有第一厚度的氧化硅膜层研磨成具有第二厚度的氧化硅膜层，这样待检测的化学机械研磨机台的缺陷会导致所述具有第二厚度的氧化硅膜层上具有缺陷，可以直接检测具有第二厚度的氧化硅膜层上的缺陷，避免了对待检测的化学机械研磨机台进行检测的复杂的步骤。进一步的，在所述具有第二厚度的氧化硅膜层上形成第二膜层，由于所述第二膜层的透明度小于所述具有第二厚度的氧化硅膜层，在去除所述第二膜层过程中，所述第二膜层的颗粒会残留在所述缺陷内，使所述缺陷的边界更加明显，这样在对缺陷检测时，可以使缺陷更加容易的被检测到，可以大大的降低漏检的可能，提高了检测的准确度。
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来源：北方有色网
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