一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法，涉及
半导体材料技术领域，包括石英管和PBN坩埚组，PBN坩埚组装于石英管内，石英管的两端安装有密封卡头，石英管的两端分别设置有管路，分别称为充气管路和排气管路，充气管路上设置有通断阀门三，充气管路上游为两个并联的支气管路，分别称为充氧管路和充碳管路，充氧管路连接有氧气源，充碳管路连接有碳气源，并且均通过阀门控制氧气源或碳气源的通断；排气管路的下游为两个并联的支气管路，分别称为放气管路和抽真空管路，放气管路上设置有阀门，抽真空管路上连接有抽真空装置。本申请可分别实施充氧烘烤工艺和C沉积工艺，两个工艺在同一设备上依次进行，简化了设备，节省了热能损耗。
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来源：北方有色网
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