一种基于局部选区掺杂的
碳纳米管分子内p-i-n结
光伏器件及制备方法，利用六氯锑酸三乙基氧鎓(OA)和聚乙烯亚胺(PEI)分别对单根碳纳米管的两端进行掺杂，碳纳米管的中间部分保留其原始状态。由于六氯锑酸三乙基氧鎓掺杂后的碳纳米管具有p型半导体导电特性，聚乙烯亚胺掺杂后的碳纳米管呈现n型半导体导电特性，从而成功构建了具有强内建电场的碳纳米管分子内的p-i-n结构。通过选用具有不同半径的碳纳米管，由这种分子内p-i-n结制备的光伏器件，即可以用于不同的单频光，也可以用于白光测试。
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“局部选区掺杂的碳纳米管分子内p-i-n结光伏器件及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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