本发明公开一种应用于瞬发裂变中子铀矿测井的4H‑SiC中子探测器，该探测器为肖特基结构，以n+型4H‑SiC晶体作为衬底，利用化学气相沉积技术在衬底的正面同质外延生长n‑型4H‑SiC外延层；利用磁控溅射技术在衬底的反面和外延层一侧分别沉积多层金属和保护层并退火处理，形成欧姆接触和肖特基接触；最后利用光刻和磁控溅射技术在肖特基接触上溅射6LiF形成中子转换层。除了具有常规的半导体中子探测器的优点外，4H‑SiC中子探测器还具有体积小、n/γ甄别容易、抗高温、耐辐照的优点。本发明是一种探测效率高、计数率高的4H‑SiC中子探测器，适合于铀矿测井这种狭小空间、高温度和强辐射的环境。
声明：
“应用于瞬发裂变中子铀矿测井的4H-SiC半导体中子探测器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
924
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
