本发明公开了一种硒化物纳米棒，属于纳米半导体的制备领域。包括如下步骤：将KOH、SeO
2粉、AgNO
3和In(NO
3)
3溶解于非配位溶剂和少量的乙二胺中，在惰性气体保护下，温度为200～240℃，并剧烈搅拌，保温12～24小时，制备得到硒化物纳米棒。碱在熔融状态下的其氢氧根离子分离成
和
，然后在非配位溶剂的稀释下，降低其粘度提高其流动性，在熔融碱的这样的碱性环境中In
2Se
3形成纤
锌矿结构的晶核，最后通过乙二胺分子在反应混合物中对晶面的竞争性吸附，诱导生长方向，促使In
2Se
3晶核继续吸附
和少量的
和各向异性生长。解决了在实际使用过程中，本征电导率过低，导致探测器的光谱响应度和外量子效率较低的问题。
声明：
“硒化物纳米棒” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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