本发明公开了一种在硅片上复合ZNO锥状纳米结构的
半导体材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,衬底表面生长有ZNO晶体;所述的ZNO晶体沿垂直于硅衬底方向生长并呈六角纤
锌矿尖锥型结构,长度为5～10ΜM,底端直径为3～6ΜM,尖端为100～150NM;制备方法采用醋酸锌水溶液加入氨水置于高压釜中反应,得到ZNO锥状纳米结构。本发明具有成本低,生长温度低,重复性高等优点,且生成的ZNO锥状纳米结构具有纳米级的尖端,底部是六角状结构,其独特的构造,使得它可用于高效的场发射材料,且可用于制作各种精密仪器的探头;也可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺,适合于集成纳米光电子器件的发展。
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“在硅片上复合ZNO锥状纳米结构的半导体材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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