本发明属于
钙钛矿太阳能电池、光电探测器以及宽禁带半导体光电材料与器件技术领域，公开了一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，在超声清洗机中用异丙醇、乙醇和去离子水各清洗30分钟，利用紫外臭氧处理衬底15分钟，对宽禁带半导体衬底进行彻底清洗；在经过彻底清洗的宽禁带半导体衬底上采用旋涂仪旋涂碘化
铅或无机钙钛矿前体溶液；经过退火处理后，即可得到高质量的碘化铅和钙钛矿单晶薄膜。本发明采用旋涂工艺生长高质量碘化铅和钙钛矿单晶薄膜的技术，通过优化前体溶液的配比以及薄膜生长温度，使用旋涂工艺在宽禁带半导体衬底上生长碘化铅或钙钛矿材料，获得了高质量的外延单晶薄膜，应用于制造高效光电探测器或太阳能电池。
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“宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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