本发明属于光电
功能材料技术领域，尤其涉及一种相变可控的全无机
钙钛矿薄膜制备方法及器件应用。所述方法包括：(1)将先驱物溴化
铅和溴化铯分别置于气相沉积装置内，将衬底置于沉积区，并对整个装置抽真空；(2)向气相沉积装置内通入惰性气体；(3)设定沉积温度和沉积时间，沉积温度选自500‑800℃，不同沉积温度下，钙钛矿薄膜的成分和晶型不同。本发明采用化学气相沉积方法，工艺条件简单，易于精确控制，适合产业化生产，同时薄膜均匀性好，与衬底材料附着性，覆盖性好，制备的光电薄膜，具有广阔的应用前景。本发明通过改变沉积温度，实现钙钛矿相从CsPb
2Br
5到CsPbBr
3可控生长。基于本发明得到的钙钛矿薄膜制备的光电探测器，表现出良好的光电响应和开关特性。
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“相变可控的全无机钙钛矿薄膜制备方法及器件应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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