本发明涉及电子学领域,特别是涉及一系列新型p-n结。本发明将n型或p型的
钙钛矿结构氧化物(选择掺杂的钛酸钡或钛酸锶或
锰酸镧)与n型或p型的
半导体材料(选择掺杂的硅或锗或砷化镓)进行叠层生长,制备成半导体和钙钛矿结构氧化物的p-n结、p-p结、n-n结、p-n-p结、n-p-n结等多种结构。本发明的制作工艺简单,稳定性好,可广泛应用于电子器件及探测器。
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“半导体和钙钛矿结构氧化物p-n结” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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