本发明公开了一种金刚石基场效应晶体管的制备方法，涉及
半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在金刚石层的上表面形成导电层；在所述导电层的上表面覆盖掩膜层；去除无源区域对应的掩膜层和导电层；分别去除源区对应的掩膜层和漏区对应的掩膜层；分别在所述源区和所述漏区形成源区高掺杂区和漏区高掺杂区；分别激活所述源区高掺杂区、所述漏区高掺杂区和所述导电层的载流子；分别在所述源区高掺杂区的上表面和所述漏区高掺杂区的上表面覆盖第一金属层，形成源极和漏极；在栅区对应的掩膜层的上表面覆盖第二金属层，形成栅极。本发明能够提高器件的耐击穿特性，降低器件的欧姆接触电阻。
声明：
“金刚石基场效应晶体管的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
894
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
