本发明涉及一种二硅化钼/
碳化硅/碳化硼三相强度复合陶瓷的制备方法。该方法使用MoSi2、C及B4C元素粉模压成型，通过调整真空度并熔渗Si进行烧结，获得MoSi2/SiC/B4C三相强度复合陶瓷，所得材料孔隙率在10%或以下，强度大于180MPa。该方法补充了现有高温抗氧化强度材料品种，和现有高温陶瓷相比，获得了更高抗氧化性能环境下使用的强度陶瓷品种，工艺优化后可进一步提高利用价值。该法工艺简单，可规模生产。
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“二硅化钼/碳化硅/碳化硼三相强度复合陶瓷的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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