本发明属于
纳米材料制备领域，具体涉及一种
石墨烯原位生长
碳化硅纳米材料的制备方法。本发明采用溶胶凝胶法在石墨烯表面包裹SiO2颗粒，使石墨烯均匀分散，同时石墨烯与SiO2粉体通过化学键结合，形成良好的界面，并且在界面处原位生长碳化硅晶须及颗粒，开启了石墨烯/陶瓷
复合材料领域的新思路。本发明不仅增加了石墨烯的分散性、均匀性，还提高了碳化硅的反应速率，减少杂质引入，实现了高含量高产率碳化硅晶须的合成。本发明合成方法简单，缩短反应时间，相比于常规球磨混合法，原位合成能较好的避免球磨过程引入杂质，对原料粉体结构性能的破坏，解决了石墨烯与SiO2纳米颗粒分散不均匀等问题，为批量生产提供了坚实的应用基础。
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“石墨烯原位生长碳化硅纳米材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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