本发明的立方相、岩盐矿结构Zn1－xMnxO薄膜及其制备工艺，属于氧化物稀磁半导体薄膜的制备技术领域，其特征是采用电子束反应蒸发法，利用MnO的含量相对较高的(MnO)y(ZnO)1－y(y为摩尔比，y＝0.2～0.3)陶瓷靶作为蒸发源，以高纯度的Ar/O2混合气为反应气体，在石英玻璃衬底上制备出Mn含量x(x为原子个数比)在0.6～1.0范围、光学带隙在4.5～5.7eV范围内连续可调、厚度在200～1000nm范围、具有立方相、岩盐矿结构的Zn1－xMnxO薄膜。
声明：
“立方相、岩盐矿结构的Zn1-xMnxO晶体薄膜及其制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
896
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
